詳細情報
著作分類
論文
著者
Ogawa H.:K. Ishikawa:C. Inomata:S. Fujimura
論文タイトル
Initial stage of native oxide growth on hydrogen terminated Si(111) surface
機関名
Journal of Applied Physics
巻
vol.79
号
ページ
472
出版・発行年月
1996
要旨
備考
参考URL
ラベル
技術経営
登録日
1996/12/31
