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著作分類
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論文
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著者
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Fukata,N.:S. Sasaki:S. Fujimura:H. Haneda:K. Murakami
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論文タイトル
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Hydrogen passivation of donors and hydrogen states in heavily doped n-type silicon
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機関名
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Japan Journal of Applied Physics
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巻
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vol.35
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号
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ページ
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3937
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出版・発行年月
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1996
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要旨
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備考
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参考URL
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ラベル
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技術経営
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登録日
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1996/12/31
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