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著作分類
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本の一章執筆
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著者
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Ishikawa,K.:H. Ogawa:C. Inomata:S. Fujimura:H. Mori
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論文タイトル
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FT-IR-RAS analysis of the structure of the SiO2/Si interface
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編者
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I. Ohdomari, M. Oshima, and A. Hiraki
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本タイトル
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Control of Semiconductor interfaces
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ページ
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pp. 447-452
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出版社都市名
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Amsterdam, London, New York, Tokyo
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出版社名
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ELSEVIER
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出版・発行年月
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1994
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要旨
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備考
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参考URL
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ラベル
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技術経営
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登録日
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1994/12/31
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